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参数目录42528
> SIR166DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
型号:
SIR166DP-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIR166DP-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.2 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
77nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3340pF @ 15V
功率 - 最大
48W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
包装
标准包装
其它名称
SIR166DP-T1-GE3DKR
查看SIR166DP-T1-GE3代理商
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